RN1327A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RN1327A
Маркировка: QG
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: SOT323 SC70 USM
RN1327A - технические параметры
rn1321a rn1327a.pdf
RN1321A RN1327A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1321A,RN1322A,RN1323A,RN1324A RN1325A,RN1326A,RN1327A Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications High current driving is possible. Since bias resisters are built in the transistor,the miniaturization of the apparatus by curtailment of the number of p
Другие транзисторы... RN1317 , RN1318 , RN1321A , RN1322A , RN1323A , RN1324A , RN1325A , RN1326A , 2SB817 , RN1401 , RN1402 , RN1403 , RN1404 , RN1405 , RN1406 , RN1407 , RN1408 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198


