RN1441 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1441  📄📄 

Маркировка: KA_KB

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 5.6 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT346 SC59 SMINI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1441

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1441 даташит

 0.1. Size:190K  toshiba
 rn1441-1444.pdf pdf_icon

RN1441

RN1441 RN1444 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1441,RN1442,RN1443,RN1444 Muting And Switching Applications Unit in mm High emitter-base voltage VEBO = 25V (min) High reverse h reverse h = 150 (typ.) (V = -2V, I = -4mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.) (I = 5mA) ON B With built-in bias resistors Simplify circuit design

Другие транзисторы: RN1418, RN1421, RN1422, RN1423, RN1424, RN1425, RN1426, RN1427, S9018, RN1442, RN1443, RN1444, RN1501, RN1502, RN1503, RN1504, RN1505