Биполярный транзистор RN1441 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1441
Маркировка: KA_KB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 5.6 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT346 SC59 SMINI
RN1441 Datasheet (PDF)
rn1441-1444.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RN1441RN1444 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1441,RN1442,RN1443,RN1444 Muting And Switching Applications Unit in mm High emitter-base voltage: VEBO = 25V (min) High reverse h : reverse h = 150 (typ.) (V = -2V, I = -4mA) FE FE CE C Low on resistance: R = 1 (typ.) (I = 5mA) ON B With built-in bias resistors Simplify circuit design
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .