RN1610 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RN1610
Маркировка: XK
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6
RN1610 Datasheet (PDF)
rn1610-rn1611.pdf
RN1610,RN1611 TOSHIBA Transistor Silicon Npn Epitaxial Type (PCT Process) RN1610,RN1611 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2610, R
Другие транзисторы... RN1602 , RN1603 , RN1604 , RN1605 , RN1606 , RN1607 , RN1608 , RN1609 , C5198 , RN1611 , RN1673 , RN16J1 , RN1701JE , RN1701 , RN1702JE , RN1702 , RN1703JE .
History: DTS3705 | GT403G | 2SC5658RM3
History: DTS3705 | GT403G | 2SC5658RM3
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor


