RN1673 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1673  📄📄 

Маркировка: XXP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1673

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1673 даташит

 ..1. Size:211K  toshiba
 rn1673 090512.pdf pdf_icon

RN1673

RN1673 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1673 Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a Super-Mini (6 pin) package Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

Другие транзисторы: RN1604, RN1605, RN1606, RN1607, RN1608, RN1609, RN1610, RN1611, S8050, RN16J1, RN1701JE, RN1701, RN1702JE, RN1702, RN1703JE, RN1703, RN1704JE