Справочник транзисторов. RN1710JE

 

Биполярный транзистор RN1710JE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1710JE
   Маркировка: XK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT553 ESV
 

 Аналог (замена) для RN1710JE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1710JE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:110K  toshiba
rn1710je-rn1711je.pdfpdf_icon

RN1710JE

RN1710JE,RN1711JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1710JE,RN1711JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 8.1. Size:110K  toshiba
rn1710-rn1711.pdfpdf_icon

RN1710JE

RN1710,RN1711 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1710,RN1711 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2

Другие транзисторы... RN1706JE , RN1706 , RN1707JE , RN1707 , RN1708JE , RN1708 , RN1709JE , RN1709 , BC327 , RN1710 , RN1711JE , RN1711 , RN1901AFS , RN1901FE , RN1901FS , RN1901 , RN1902AFS .

 

 
Back to Top

 


 
.