Справочник транзисторов. RN1710JE

 

Биполярный транзистор RN1710JE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1710JE
   Маркировка: XK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT553 ESV
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN1710JE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:110K  toshiba
 rn1710je-rn1711je.pdf pdf_icon

RN1710JE

RN1710JE,RN1711JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1710JE,RN1711JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 8.1. Size:110K  toshiba
 rn1710-rn1711.pdf pdf_icon

RN1710JE

RN1710,RN1711 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1710,RN1711 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N1538 | 2SC1910 | 2N5832 | MJE344K | PBSS5320D | PMBT2222AQA | BC337

 

 
Back to Top

 


 
.