RN1711JE - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RN1711JE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN1711JE
   Маркировка: XM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT553 ESV

 Аналоги (замена) для RN1711JE

 

RN1711JE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:110K  toshiba
 rn1710je-rn1711je.pdf pdf_icon

RN1711JE

RN1710JE,RN1711JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1710JE,RN1711JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 8.1. Size:110K  toshiba
 rn1710-rn1711.pdf pdf_icon

RN1711JE

RN1710,RN1711 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1710,RN1711 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2

Другие транзисторы... RN1707JE , RN1707 , RN1708JE , RN1708 , RN1709JE , RN1709 , RN1710JE , RN1710 , S8550 , RN1711 , RN1901AFS , RN1901FE , RN1901FS , RN1901 , RN1902AFS , RN1902FE , RN1902FS .

 

 
Back to Top

 


 
.