Справочник транзисторов. RN1901AFS

 

Биполярный транзистор RN1901AFS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1901AFS
   Маркировка: C0
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT963 FS6
 

 Аналог (замена) для RN1901AFS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1901AFS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  toshiba
rn1901afs rn1906afs.pdfpdf_icon

RN1901AFS

RN1901AFS~RN1906AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1901AFS, RN1902AFS, RN1903AFS RN1904AFS, RN1905AFS, RN1906AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit: mmCircuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pi

 8.1. Size:465K  toshiba
rn1901 rn1906.pdfpdf_icon

RN1901AFS

RN1901~RN1906 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1901,RN1902,RN1903 RN1904,RN1905,RN1906 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a qu

 8.2. Size:133K  toshiba
rn1901fs rn1906fs.pdfpdf_icon

RN1901AFS

RN1901FS~RN1906FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1901FS,RN1902FS,RN1903FS RN1904FS,RN1905FS,RN1906FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1

 8.3. Size:543K  toshiba
rn1901fe rn1906fe.pdfpdf_icon

RN1901AFS

RN1901FE~RN1906FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1901FE, RN1902FE, RN1903FE RN1904FE, RN1905FE, RN1906FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a t

Другие транзисторы... RN1708JE , RN1708 , RN1709JE , RN1709 , RN1710JE , RN1710 , RN1711JE , RN1711 , 2SA1837 , RN1901FE , RN1901FS , RN1901 , RN1902AFS , RN1902FE , RN1902FS , RN1902 , RN1903AFS .

 

 
Back to Top

 


 
.