2N5729 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5729  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5729

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5729 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N571, 2N5710, 2N5711, 2N5712, 2N5713, 2N5714, 2N5715, 2N572, TIP42C, 2N573, 2N5730, 2N5731, 2N5732, 2N5733, 2N5734, 2N5735, 2N5736