2N573 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N573  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N573

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N573 даташит

 0.1. Size:51K  inchange semiconductor
 2n5739.pdf pdf_icon

2N573

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5739 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 0.2. Size:129K  inchange semiconductor
 2n5732.pdf pdf_icon

2N573

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5732 DESCRIPTION With TO-3 package High current capability APPLICATIONS For linear amplifier and inductive switching applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

 0.3. Size:36K  inchange semiconductor
 2n5738.pdf pdf_icon

2N573

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5738 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -100V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 0.4. Size:36K  inchange semiconductor
 2n5737.pdf pdf_icon

2N573

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5737 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5710, 2N5711, 2N5712, 2N5713, 2N5714, 2N5715, 2N572, 2N5729, 13009, 2N5730, 2N5731, 2N5732, 2N5733, 2N5734, 2N5735, 2N5736, 2N5737