RN1913FS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1913FS  📄📄 

Маркировка: FJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT963 FS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1913FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1913FS даташит

 ..1. Size:141K  toshiba
 rn1912fs rn1913fs.pdf pdf_icon

RN1913FS

RN1912FS,RN1913FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1912FS,RN1913FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. Unit mm Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 1.0 0.05 package. 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Incorporating a bias resistor into

 8.1. Size:133K  toshiba
 rn1912afs rn1913afs.pdf pdf_icon

RN1913FS

RN1912AFS, RN1913AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1912AFS, RN1913AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm 1.0 0.05 Driver Circuit Applications 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias

 9.1. Size:133K  toshiba
 rn1910afs rn1911afs.pdf pdf_icon

RN1913FS

RN1910AFS, RN1911AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1910AFS, RN1911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bia

 9.2. Size:145K  toshiba
 rn1910fe-rn1911fe.pdf pdf_icon

RN1913FS

RN1910FE,RN1911FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FE,RN1911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1910, RN1911AFS, RN1911FE, RN1911FS, RN1911, RN1912AFS, RN1912FS, RN1913AFS, 2SC828, RN1961CT, RN1961FE, RN1961FS, RN1961, RN1962CT, RN1962FE, RN1962FS, RN1962