RN1961FE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1961FE  📄📄 

Маркировка: XXA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT563 ES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1961FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1961FE даташит

 ..1. Size:544K  toshiba
 rn1961fe rn1966fe.pdf pdf_icon

RN1961FE

RN1961FE RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 0.1. Size:193K  toshiba
 rn1961fe-rn1966fe.pdf pdf_icon

RN1961FE

RN1961FE RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 7.1. Size:130K  toshiba
 rn1961fs rn1962fs rn1963fs rn1964fs rn1965fs rn1966fs.pdf pdf_icon

RN1961FE

RN1961FS RN1966FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FS,RN1962FS,RN1963FS RN1964FS,RN1965FS,RN1966FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 1

 8.1. Size:191K  toshiba
 rn1961ct rn1966ct.pdf pdf_icon

RN1961FE

RN1961CT RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.0 0.05 0.15 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1911FE, RN1911FS, RN1911, RN1912AFS, RN1912FS, RN1913AFS, RN1913FS, RN1961CT, S9018, RN1961FS, RN1961, RN1962CT, RN1962FE, RN1962FS, RN1962, RN1963CT, RN1963FE