Биполярный транзистор RN1969FE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1969FE
Маркировка: XXJ
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT563 ES6
RN1969FE Datasheet (PDF)
rn1967fe-rn1969fe.pdf
RN1967FE~RN1969FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FE,RN1968FE,RN1969FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
rn1967fs rn1968fs rn1969fs.pdf
RN1967FS~RN1969FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm1.00.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 0.80.05 0.10.050.10.05package. Incorporating a bias resis
rn1967-rn1969.pdf
RN1967~RN1969 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1967,RN1968,RN1969 Unit:mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN
rn1967ct rn1968ct rn1969ct.pdf
RN1967CT~RN1969CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967CT,RN1968CT,RN1969CT Switching Applications Unit: mm1.00.05Inverter Circuit Applications 0.150.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050