RN1973HFE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1973HFE  📄📄 

Маркировка: XX4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT563 ES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1973HFE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1973HFE даташит

 ..1. Size:144K  toshiba
 rn1972hfe rn1973hfe.pdf pdf_icon

RN1973HFE

RN1972HFE,RN1973HFE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1972HFE,RN1973HFE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit mm Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reduc

 8.1. Size:118K  toshiba
 rn1972fs rn1973fs.pdf pdf_icon

RN1973HFE

RN1972FS,RN1973FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1972FS,RN1973FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Incorporating a bias resistor into a transi

 8.2. Size:176K  toshiba
 rn1972ct rn1973ct.pdf pdf_icon

RN1973HFE

RN1972CT,RN1973CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1972CT,RN1973CT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.15 0.03 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. Incorporating a bias resistor i

 8.3. Size:98K  toshiba
 rn1973.pdf pdf_icon

RN1973HFE

RN1973 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1973 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications. Two devices are incorporated into an Ultra-Super-Mini (6-pin) package Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count. Reducing the parts count enable

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1971CT, RN1971FE, RN1971FS, RN1971, RN1972CT, RN1972FS, RN1973CT, RN1973FS, BC327, RN1973, RN2101ACT, RN2101CT, RN2101FS, RN2101MFV, RN2101, RN2102ACT, RN2102CT