Справочник транзисторов. RN1973HFE

 

Биполярный транзистор RN1973HFE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: RN1973HFE
   Маркировка: XX4
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT563 ES6

 Аналоги (замена) для RN1973HFE

 

 

RN1973HFE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  toshiba
rn1972hfe rn1973hfe.pdf

RN1973HFE
RN1973HFE

RN1972HFE,RN1973HFE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1972HFE,RN1973HFE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit: mmCircuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reduc

 8.1. Size:118K  toshiba
rn1972fs rn1973fs.pdf

RN1973HFE
RN1973HFE

RN1972FS,RN1973FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1972FS,RN1973FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mmTwo devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Incorporating a bias resistor into a transi

 8.2. Size:176K  toshiba
rn1972ct rn1973ct.pdf

RN1973HFE
RN1973HFE

RN1972CT,RN1973CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1972CT,RN1973CT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.150.03 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. Incorporating a bias resistor i

 8.3. Size:98K  toshiba
rn1973.pdf

RN1973HFE
RN1973HFE

RN1973 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1973 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications. Two devices are incorporated into an Ultra-Super-Mini (6-pin) package Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count. Reducing the parts count enable

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top