RN2103CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2103CT  📄📄 

Маркировка: U2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT883 CST3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2103CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2103CT даташит

 8.1. Size:167K  toshiba
 rn2101fs rn2102fs rn2103fs rn2104fs rn2105fs rn2106fs.pdf pdf_icon

RN2103CT

RN2101FS RN2106FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101FS,RN2102FS,RN2103FS RN2104FS,RN2105FS,RN2106FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 0.15 0.05 0.2 0.05 Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. 0.35 0.05 0.6 0.05 Red

 8.2. Size:256K  toshiba
 rn2101 rn2102 rn2103 rn2104 rn2105 rn2106.pdf pdf_icon

RN2103CT

RN2101 RN2106 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2101,RN2102,RN2103 RN2104,RN2105,RN2106 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1101 RN1106 Equivalent Circuit and B

 8.3. Size:200K  toshiba
 rn2101mfv rn2102mfv rn2103mfv rn2104mfv rn2105mfv rn2106mfv.pdf pdf_icon

RN2103CT

RN2101MFV RN2106MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2101MFV,RN2102MFV,RN2103MFV RN2104MFV,RN2105MFV,RN2106MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.2 0.05 0.80 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2101MFV, RN2101, RN2102ACT, RN2102CT, RN2102FS, RN2102MFV, RN2102, RN2103ACT, 8050, RN2103FS, RN2103MFV, RN2103, RN2104ACT, RN2104CT, RN2104FS, RN2104MFV, RN2104