Биполярный транзистор RN2106FS Даташит. Аналоги
Наименование производителя: RN2106FS
Маркировка: U5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: FSM
- подбор биполярного транзистора по параметрам
RN2106FS Datasheet (PDF)
rn2101fs rn2102fs rn2103fs rn2104fs rn2105fs rn2106fs.pdf

RN2101FS~RN2106FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101FS,RN2102FS,RN2103FS RN2104FS,RN2105FS,RN2106FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 0.150.05 0.20.05 Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. 0.350.05 0.60.05 Red
rn2101f-rn2106f.pdf

RN2101FRN2106F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2101F,RN2102F,RN2103F RN2104F,RN2105F,RN2106F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1101F~RN1106F Equivalent Cir
rn2101ft-rn2106ft.pdf

RN2101FT~RN2106FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101FT,RN2102FT,RN2103FT RN2104FT,RN2105FT,RN2106FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor
rn2101ct rn2106ct.pdf

RN2101CT ~ RN2106CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101CT,RN2102CT,RN2103CT RN2104CT,RN2105CT,RN2106CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.050.50.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: MJE51
History: MJE51



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet