RN2106MFV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2106MFV  📄📄 

Маркировка: YF.

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT723 VESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2106MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2106MFV даташит

 ..1. Size:200K  toshiba
 rn2101mfv rn2102mfv rn2103mfv rn2104mfv rn2105mfv rn2106mfv.pdf pdf_icon

RN2106MFV

RN2101MFV RN2106MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2101MFV,RN2102MFV,RN2103MFV RN2104MFV,RN2105MFV,RN2106MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.2 0.05 0.80 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the

 8.1. Size:188K  toshiba
 rn2101ct rn2106ct.pdf pdf_icon

RN2106MFV

RN2101CT RN2106CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101CT,RN2102CT,RN2103CT RN2104CT,RN2105CT,RN2106CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 0.5 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p

 8.2. Size:189K  toshiba
 rn2101act rn2106act.pdf pdf_icon

RN2106MFV

RN2101ACT RN2106ACT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101ACT,RN2102ACT,RN2103ACT RN2104ACT,RN2105ACT,RN2106ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 0.6 0.05 0.5 0.03 Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication. Inc

 8.3. Size:167K  toshiba
 rn2101fs rn2102fs rn2103fs rn2104fs rn2105fs rn2106fs.pdf pdf_icon

RN2106MFV

RN2101FS RN2106FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2101FS,RN2102FS,RN2103FS RN2104FS,RN2105FS,RN2106FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 0.15 0.05 0.2 0.05 Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. 0.35 0.05 0.6 0.05 Red

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2105ACT, RN2105CT, RN2105FS, RN2105MFV, RN2105, RN2106ACT, RN2106CT, RN2106FS, D880, RN2106, RN2107ACT, RN2107CT, RN2107FS, RN2107MFV, RN2107, RN2108ACT, RN2108CT