RN2107ACT datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: RN2107ACT 📄📄
Маркировка: C6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для RN2107ACT
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
RN2107ACT даташит
rn2107act rn2109act.pdf
RN2107ACT RN2109ACT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107ACT,RN2108ACT,RN2109ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Top View 0.6 0.05 0.5 0.03 Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication. Incorporating a bias resistor
rn2107 rn2108 rn2109.pdf
RN2107 RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107 RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf
RN2107FS RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip
rn2107ft-rn2109ft.pdf
RN2107FT RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p
Другие транзисторы: RN2105FS, RN2105MFV, RN2105, RN2106ACT, RN2106CT, RN2106FS, RN2106MFV, RN2106, D209L, RN2107CT, RN2107FS, RN2107MFV, RN2107, RN2108ACT, RN2108CT, RN2108FS, RN2108MFV
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KT361Zh2 | RN2905FE | BFT12
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement








