Биполярный транзистор RN2108ACT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN2108ACT
Маркировка: C7
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT883 CST3
Аналоги (замена) для RN2108ACT
RN2108ACT Datasheet (PDF)
rn2107 rn2108 rn2109.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RN2107RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107~RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RN2107FS~RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip
rn2107mfv rn2108mfv rn2109mfv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RN2107MFVRN2109MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.20.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0.80.05enabling the ma
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .