Биполярный транзистор RN2109CT Даташит. Аналоги
Наименование производителя: RN2109CT
Маркировка: U8
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT883 CST3
Аналог (замена) для RN2109CT
RN2109CT Datasheet (PDF)
rn2107ct rn2109ct.pdf

RN2107CT ~ RN2109CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107CT,RN2108CT,RN2109CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications Top View Interface Circuit Applications 0.60.050.50.03Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
rn2107 rn2108 rn2109.pdf

RN2107RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107~RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf

RN2107FS~RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip
rn2107ft-rn2109ft.pdf

RN2107FT~RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p
Другие транзисторы... RN2107MFV , RN2107 , RN2108ACT , RN2108CT , RN2108FS , RN2108MFV , RN2108 , RN2109ACT , BC639 , RN2109FS , RN2109F , RN2109MFV , RN2109 , RN2110ACT , RN2110CT , RN2110FS , RN2110MFV .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a