Справочник транзисторов. RN2111ACT

 

Биполярный транзистор RN2111ACT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2111ACT
   Маркировка: CF
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT883 CST3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN2111ACT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  toshiba
rn2110act rn2111act.pdfpdf_icon

RN2111ACT

RN2110ACT,RN2111ACT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110ACT,RN2111ACT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.05Interface Circuit Applications 0.50.03Driver Circuit Applications Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication. Incorpora

 8.1. Size:102K  toshiba
rn2110-rn2111.pdfpdf_icon

RN2111ACT

RN2110,RN2111 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2110,RN2111 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1110, RN1111 Equivalent Circuit Maximum Ratings (Ta = 25C) Cha

 8.2. Size:163K  toshiba
rn2110mfv rn2111mfv.pdfpdf_icon

RN2111ACT

RN2110MFV,RN2111MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110MFV,RN2111MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit : mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.20.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0

 8.3. Size:114K  toshiba
rn2110fs rn2111fs.pdfpdf_icon

RN2111ACT

RN2110FS,RN2111FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FS,RN2111FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save a

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: STW2040

 

 
Back to Top

 


 
.