RN2610 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2610  📄📄 

Маркировка: YK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2610

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2610 даташит

 ..1. Size:115K  toshiba
 rn2610 rn2611.pdf pdf_icon

RN2610

RN2610,RN2611 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2610,RN2611 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including twodevices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1610 R

Другие транзисторы: RN2601, RN2602, RN2603, RN2604, RN2605, RN2606, RN2607, RN2608, A42, RN2611, RN2701JE, RN2701, RN2702JE, RN2702, RN2703JE, RN2703, RN2704JE