Биполярный транзистор RN2711JE
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN2711JE
Маркировка: YM
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
SOT553
ESV
Аналоги (замена) для RN2711JE
RN2711JE
Datasheet (PDF)
..1. Size:169K toshiba
rn2710je rn2711je.pdf RN2710JE, RN2711JE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2710JE, RN2711JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Red
8.1. Size:108K toshiba
rn2710 rn2711.pdf RN2710,RN2711 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2710,RN2711 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1
9.1. Size:255K toshiba
rn2712je rn2713je.pdf RN2712JE,RN2713JE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2712JE, RN2713JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit : mm Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufactur
9.2. Size:231K toshiba
rn2714 100514.pdf RN2714 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2714 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Two devices incorporated in a USV (5-pin ultra-super-mini-type) Built-in bias resistors Simplified circuit design Reduced quantity of parts and manufacturing process Equiva
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.