2N5770 - описание и поиск аналогов

 

2N5770 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N5770
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N5770

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5770 - технические параметры

 ..1. Size:295K  fairchild semi
 2n5770.pdf pdf_icon

2N5770

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5770 C TO-92 B E NPN RF Transistor This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 43. See PN918 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15

 ..2. Size:242K  cdil
 2n5770.pdf pdf_icon

2N5770

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 2N5770 TO-92 Plastic Package C B E VHF/UHF Amplifier Mixer and Oscillator Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 15 V Collector Base Voltage VCBO 30 V VE

 9.1. Size:585K  fairchild semi
 2n5771 mmbt5771.pdf pdf_icon

2N5770

2N5771 MMBT5771 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 3R PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage

 9.2. Size:708K  fairchild semi
 2n5771.pdf pdf_icon

2N5770

2N5771 MMBT5771 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 3R PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N5763 , 2N5764 , 2N5765 , 2N5766 , 2N5767 , 2N5768 , 2N5769 , 2N576A , 2SC945 , 2N5771 , 2N5772 , 2N5773 , 2N5774 , 2N5775 , 2N5776 , 2N578 , 2N5781 .

 

 
Back to Top

 


 
.