Справочник транзисторов. RN4911FE

 

Биполярный транзистор RN4911FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN4911FE
   Маркировка: VM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN4911FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  toshiba
 rn4911fe.pdf pdf_icon

RN4911FE

RN4911FE TOSHIBA Transistor Silicon PNPNPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts co

 8.1. Size:87K  toshiba
 rn4911.pdf pdf_icon

RN4911FE

RN4911 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4911 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr

 9.1. Size:88K  toshiba
 rn4910.pdf pdf_icon

RN4911FE

RN4910 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4910 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr

 9.2. Size:102K  toshiba
 rn4910fe.pdf pdf_icon

RN4911FE

RN4910FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4910FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.