Биполярный транзистор RN4911FE
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN4911FE
Маркировка: VM
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
SOT563
ES6
Аналоги (замена) для RN4911FE
RN4911FE
Datasheet (PDF)
..1. Size:101K toshiba
rn4911fe.pdf 
RN4911FE TOSHIBA Transistor Silicon PNPNPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts co
8.1. Size:87K toshiba
rn4911.pdf 
RN4911 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4911 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr
9.1. Size:88K toshiba
rn4910.pdf 
RN4910 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4910 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr
9.2. Size:102K toshiba
rn4910fe.pdf 
RN4910FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4910FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts
Другие транзисторы... HA9079
, HA9500
, HA9501
, HA9502
, HA9531
, HA9531A
, HA9532
, HA9532A
, TIP142
, HCT2907A
, HCT2907M
, HDA412
, HDA420
, HDA496
, HEP637
, HEPG0001
, HEPG0002
.
