RN4962FE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN4962FE  📄📄 

Маркировка: 17B

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT563 ES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN4962FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN4962FE даташит

 ..1. Size:104K  toshiba
 rn4962fe.pdf pdf_icon

RN4962FE

RN4962FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN4962FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts co

Другие транзисторы: RN4908FE, RN4908, RN4909FE, RN4909, RN4910FE, RN4910, RN4911FE, RN4911, D880, RN4981AFS, RN4981FE, RN4981FS, RN4981, RN4982AFS, RN4982FE, RN4982FS, RN4982