Справочник транзисторов. 2SC5949

 

Биполярный транзистор 2SC5949 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5949

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55

Корпус транзистора: TO3PL

Аналоги (замена) для 2SC5949

 

 

2SC5949 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5949.pdf Size:255K _toshiba

2SC5949
2SC5949

2SC5949 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5949 Power Amplifier Applications Unit: mm • PC = 220W • Complementary to 2SA2121 Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 200 V Collector-emitter voltage VCEO 200 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 15 A Base current IB 1.5 A Collector powe

1.2. 2sc5949.pdf Size:182K _inchange_semiconductor

2SC5949
2SC5949

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5949 DESCRIPTION ·High Current Capability ·High Power Dissipation ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V = 200V(Min) (BR)CEO ·Complement to Type 2SA2121 ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Reco

 4.1. 2sc5948 061116.pdf Size:152K _toshiba

2SC5949
2SC5949

2SC5948 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5948 Power Amplifier Applications Unit: mm • Complementary to 2SA2120 • Recommended for audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit VCBO Collector-base voltage 200 V VCEO Collector-emitter voltage 200 V VEBO Emitter-base voltage 5 V Coll

4.2. 2sc5945.pdf Size:276K _renesas

2SC5949
2SC5949

2SC5945 Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier REJ03G0443-0300 Rev.3.00 Aug 03, 2006 Features • Excellent Linearity P1dB at output = +26 dBm typ. f = 2.4 GHz • High Collector to Emitter Voltage VCEO = 5 V • Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone. • 7 Pin, Lead less, Small mounting area (HWSON-6: 2.0 x 2.0 x 0.8

 4.3. 2sc5946.pdf Size:159K _panasonic

2SC5949
2SC5949

トランジスタ 2SC5946 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形 高周波増幅・発振・混合用 Unit : mm 0.33+0.05 0.10+0.05 –0.02 –0.02 3 ■ 特 長 • トランジション周波数fT が高い • SSS ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピ ングによる自動挿入が可能 0.23+0.05 1 2 –0.02 (0.40)(0.40) 0.80±0.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top