Справочник транзисторов. 2SC6076

 

Биполярный транзистор 2SC6076 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC6076
   Маркировка: C6076
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: NEW-PW-MOLD
 

 Аналог (замена) для 2SC6076

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6076 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  toshiba
 2sc6076.pdf pdf_icon

2SC6076

2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6076 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160 VCollector-emitt

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sc6076.pdf pdf_icon

2SC6076

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC6076DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 160V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V =0.5V(Max) @I = 1ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower Amplifier ApplicationsPower Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 8.1. Size:302K  toshiba
 2sc6077.pdf pdf_icon

2SC6076

2SC6077 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6077 Power Amplifier Applications Unit: mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.comAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-ba

 8.2. Size:201K  toshiba
 2sc6075.pdf pdf_icon

2SC6076

2SC6075 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6075 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.comAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC6040 , 2SC6042 , 2SC6052 , 2SC6060 , 2SC6061 , 2SC6062 , 2SC6072 , 2SC6075 , BC558 , 2SC6077 , 2SC6078 , 2SC6079 , 2SC6087 , 2SC6124 , 2SC6125 , 2SC6126 , 2SC6127 .

 

 
Back to Top

 


 
.