2N5805 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5805  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5805

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5805 даташит

 ..1. Size:103K  jmnic
2n5804 2n5805.pdfpdf_icon

2N5805

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETE

 ..2. Size:116K  inchange semiconductor
2n5804 2n5805.pdfpdf_icon

2N5805

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= )

Другие транзисторы: 2N5786, 2N579, 2N5793, 2N5794, 2N5795, 2N5796, 2N580, 2N5804, TIP142, 2N581, 2N5810, 2N5811, 2N5812, 2N5813, 2N5814, 2N5815, 2N5816