Биполярный транзистор 2N5805 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5805
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
2N5805 Datasheet (PDF)
2n5804 2n5805.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETE
2n5804 2n5805.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
