TPC6501 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPC6501  📄📄 

Маркировка: H2A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: VS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPC6501

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC6501 даташит

 ..1. Size:142K  toshiba
 tpc6501 .pdf pdf_icon

TPC6501

TPC6501 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6501 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteris

 ..2. Size:134K  toshiba
 tpc6501.pdf pdf_icon

TPC6501

TPC6501 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6501 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symb

 8.1. Size:157K  toshiba
 tpc6504.pdf pdf_icon

TPC6501

TPC6504 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6504 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.17 V (max) High-speed switching tf = 85 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characte

 8.2. Size:190K  toshiba
 tpc6503.pdf pdf_icon

TPC6501

TPC6503 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6503 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 45 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC6124, 2SC6125, 2SC6126, 2SC6127, 2SC6136, 2SC6139, 2SC6140, 2SC6142, D880, TPC6502, TPC6503, TPC6504, TPC6601, TPC6602, TPC6603, TPC6604, TPC6701