Биполярный транзистор 2N581 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N581
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
2N581 Datasheet (PDF)
0.1. Size:83K central
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
Другие транзисторы... 2N579 , 2N5793 , 2N5794 , 2N5795 , 2N5796 , 2N580 , 2N5804 , 2N5805 , BC556 , 2N5810 , 2N5811 , 2N5812 , 2N5813 , 2N5814 , 2N5815 , 2N5816 , 2N5817 .