2N581 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N581  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N581

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N581 даташит

 ..1. Size:218K  rca
2n581.pdfpdf_icon

2N581

 0.1. Size:83K  central
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdfpdf_icon

2N581

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 0.2. Size:162K  microelectronics
2n5810-19.pdfpdf_icon

2N581

Другие транзисторы: 2N579, 2N5793, 2N5794, 2N5795, 2N5796, 2N580, 2N5804, 2N5805, 2N2907, 2N5810, 2N5811, 2N5812, 2N5813, 2N5814, 2N5815, 2N5816, 2N5817