TPCP8511 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPCP8511  📄📄 

Маркировка: 8511

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: PS8

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPCP8511

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPCP8511 даташит

 ..1. Size:184K  toshiba
 tpcp8511.pdf pdf_icon

TPCP8511

TPCP8511 Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8511 TPCP8511 TPCP8511 TPCP8511 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching DC-DC Converters Photo Flashes 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 250 to 400 (IC = 0.3 A) (2) Low collector-emitter saturation VCE(sat) = 0.18 V

 7.1. Size:211K  toshiba
 tpcp8510.pdf pdf_icon

TPCP8511

TPCP8510 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8510 Unit mm High-Speed, High-Voltage Switching Applications 0.33 0.05 DC-DC Converter Applications 0.05 M A 8 5 High DC current gain hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.14 V (max) 0.475 1 4 High-speed switching tf = 0.2 s (typ) B 0.05 M B 0.65 2.9 0.1

 8.1. Size:227K  toshiba
 tpcp8501.pdf pdf_icon

TPCP8511

TPCP8501 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8501 Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 High DC current gain hFE = 100 to 300 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.2 V (max) High-speed switching tf = 100 ns (typ.) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 Absolute Maximum Ratings (Ta =

 8.2. Size:210K  toshiba
 tpcp8505.pdf pdf_icon

TPCP8511

TPCP8505 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TPCP8505 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.14 V (max) High-speed switching tf = 120 ns (typ.) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TPC6604, TPC6701, TPC6D03, TPCP8501, TPCP8504, TPCP8505, TPCP8507, TPCP8510, 2SD669, TPCP8601, TPCP8602, TPCP8603, TPCP8604, TPCP8701, TPCP8901, TPCP8H01, TPCP8H02