Биполярный транзистор 2N5812 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5812
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 135 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
2N5812 Datasheet (PDF)
9.2. Size:83K central
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
Другие транзисторы... 2N5795 , 2N5796 , 2N580 , 2N5804 , 2N5805 , 2N581 , 2N5810 , 2N5811 , KTB688 , 2N5813 , 2N5814 , 2N5815 , 2N5816 , 2N5817 , 2N5818 , 2N5819 , 2N582 .