Биполярный транзистор MT3S21P Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MT3S21P
Маркировка: T2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: PW-MINI
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MT3S21P Datasheet (PDF)
mt3s21p.pdf

MT3S21P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S21P VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit: mmFEATURES Low-Noise Figure: NF=1.55 dB (typ.) (@f=1 GHz) High Gain: |S21e|2=11 dB (typ.) (@f=1 GHz) Marking T 2 PW-Mini JEDEC -JEITA SC-62TOSHIBA 2-5K1AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Weight: 0.05 g (Typ.) Characterist
mt3s20p.pdf

MT3S20P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure: NF=1.45dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain: |S21e|2=11dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking M U PW-Mini JEDEC -JEITA SC-62TOSHIBA 2-5K1AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Weight: 0.05 g (Typ.) Characteristi
mt3s22p.pdf

MT3S22P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S22P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure: NF=1.5dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain: |S21e|2=10.5dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking T 5 PW-Mini JEDEC -JEITA SC-62TOSHIBA 2-5K1AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Weight: 0.05 g (Typ.) Characterist
mt3s20r.pdf

MT3S20R TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20R VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm +0.080.42+0.08-0.050.170.05M A -0.07FEATURES 3 Low Noise Figure:NF=1.45dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=12dB(Typ.) (@ f=1GHz) 120.95 0.952.90.2A Marking 3 1. Base2. Emitter3. Collec
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: CMPT3410 | 3DD3 | KT9101AC | BF291B | RN2509 | SD1459 | 3DD201
History: CMPT3410 | 3DD3 | KT9101AC | BF291B | RN2509 | SD1459 | 3DD201



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220