MT3S21P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MT3S21P 📄📄
Маркировка: T2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: PW-MINI
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MT3S21P
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MT3S21P даташит
mt3s21p.pdf
MT3S21P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S21P VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit mm FEATURES Low-Noise Figure NF=1.55 dB (typ.) (@f=1 GHz) High Gain S21e 2=11 dB (typ.) (@f=1 GHz) Marking T 2 PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characterist
mt3s20p.pdf
MT3S20P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain S21e 2=11dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking M U PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characteristi
mt3s22p.pdf
MT3S22P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S22P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.5dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain S21e 2=10.5dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking T 5 PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characterist
mt3s20r.pdf
MT3S20R TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20R VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm +0.08 0.42 +0.08 -0.05 0.17 0.05 M A -0.07 FEATURES 3 Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain S21e 2=12dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 2 0.95 0.95 2.9 0.2 A Marking 3 1. Base 2. Emitter 3. Collec
Другие транзисторы: MT3S15TU, MT3S16U, MT3S19, MT3S19R, MT3S19TU, MT3S20P, MT3S20R, MT3S20TU, BD335, MT3S22P, MT3S35FS, MT3S37FS, MT3S41FS, MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: NJD35N04 | KRC412V | KRC822F | NB123F | MMBT4403M3 | BF747 | 2N3813
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220





