2N5817 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5817  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5817

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5817 даташит

 ..1. Size:83K  central
 2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf pdf_icon

2N5817

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 9.1. Size:218K  rca
 2n581.pdf pdf_icon

2N5817

 9.2. Size:162K  microelectronics
 2n5810-19.pdf pdf_icon

2N5817

Другие транзисторы: 2N581, 2N5810, 2N5811, 2N5812, 2N5813, 2N5814, 2N5815, 2N5816, BD136, 2N5818, 2N5819, 2N582, 2N5820, 2N5821, 2N5822, 2N5823, 2N5824