MT4S03AU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT4S03AU  📄📄 

Маркировка: MR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: USQ

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT4S03AU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT4S03AU даташит

 ..1. Size:102K  toshiba
 mt4s03au.pdf pdf_icon

MT4S03AU

 7.1. Size:102K  toshiba
 mt4s03a.pdf pdf_icon

MT4S03AU

MT4S03A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03A VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain Gain = 9dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 10 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 2 V

 8.1. Size:186K  toshiba
 mt4s03bu.pdf pdf_icon

MT4S03AU

MT4S03BU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT4S03BU Unit mm VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Low Noise Figure NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) High Gain S21e 2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.Emitter1(E1) 2.Collector(C) Characteristic Symbol Unit Rating 3.Emitter2(E2) 4.Base(B) Collector-base

 9.1. Size:110K  toshiba
 mt4s06u.pdf pdf_icon

MT4S03AU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MT3S20R, MT3S20TU, MT3S21P, MT3S22P, MT3S35FS, MT3S37FS, MT3S41FS, MT4S03A, BD135, MT4S03BU, MT4S06U, MT4S23U, MT4S24U, 2SB1015A, 2SB1016A, 2SB1018A, 2SB1020A