Справочник транзисторов. 2SB1617

 

Биполярный транзистор 2SB1617 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1617
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TPS
 

 Аналог (замена) для 2SB1617

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1617 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  toshiba
2sb1617.pdfpdf_icon

2SB1617

 8.1. Size:37K  rohm
2sb1616.pdfpdf_icon

2SB1617

2SB1616TransistorsTransistors2SD2478(SPEC-B426)(94L-1129-D426)301

 8.2. Size:35K  panasonic
2sb1612.pdfpdf_icon

2SB1617

Transistor2SB1612Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SD24741.5 0.14.5 0.1Features1.6 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and the maga- 45zine packing.0.4 0.080.4 0.040.5

 8.3. Size:39K  panasonic
2sb1612 e.pdfpdf_icon

2SB1617

Transistor2SB1612Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SD24741.5 0.14.5 0.1Features1.6 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and the maga- 45zine packing.0.4 0.080.4 0.040.5

Другие транзисторы... MT4S06U , MT4S23U , MT4S24U , 2SB1015A , 2SB1016A , 2SB1018A , 2SB1020A , 2SB1594 , C3198 , 2SB1640 , 2SB1641 , 2SB1642 , 2SB1667SM , 2SB1682 , 2SD1407A , 2SD1409A , 2SD1410A .

 

 
Back to Top

 


 
.