2SB1617 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1617  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TPS

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB1617

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1617 даташит

 ..1. Size:213K  toshiba
 2sb1617.pdf pdf_icon

2SB1617

 8.1. Size:37K  rohm
 2sb1616.pdf pdf_icon

2SB1617

2SB1616 Transistors Transistors 2SD2478 (SPEC-B426) (94L-1129-D426) 301

 8.2. Size:35K  panasonic
 2sb1612.pdf pdf_icon

2SB1617

Transistor 2SB1612 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SD2474 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- 45 zine packing. 0.4 0.08 0.4 0.04 0.5

 8.3. Size:39K  panasonic
 2sb1612 e.pdf pdf_icon

2SB1617

Transistor 2SB1612 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SD2474 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- 45 zine packing. 0.4 0.08 0.4 0.04 0.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MT4S06U, MT4S23U, MT4S24U, 2SB1015A, 2SB1016A, 2SB1018A, 2SB1020A, 2SB1594, 9014, 2SB1640, 2SB1641, 2SB1642, 2SB1667SM, 2SB1682, 2SD1407A, 2SD1409A, 2SD1410A