Биполярный транзистор 2SD2075A
Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD2075A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 140
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора:
TO220NIS
Аналог (замена) для 2SD2075A
-
подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD2075A
Datasheet (PDF)
8.3. Size:53K panasonic
2sd2071 e.pdf 
Transistor2SD2071Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SB13772.5 0.11.056.9 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.0 0.8FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Output of 1W is obtained with a complementary pair with0.65 max.2SB1377.Allowing supply with the radial taping.+
8.4. Size:44K panasonic
2sd2074.pdf 
Transistor2SD2074Silicon NPN epitaxial planer typeUnit: mmFor low-frequency output amplification2.5 0.11.056.9 0.1 0.05 (1.45)For muting0.7 4.0 0.8For DC-DC converterFeatures0.65 max.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Low ON resistance Ron.High foward current transfer ratio hFE.+0.1 0.450.05Allowing supply with the radial taping.
8.5. Size:49K panasonic
2sd2074 e.pdf 
Transistor2SD2074Silicon NPN epitaxial planer typeUnit: mmFor low-frequency output amplification2.5 0.11.056.9 0.1 0.05 (1.45)For muting0.7 4.0 0.8For DC-DC converterFeatures0.65 max.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Low ON resistance Ron.High foward current transfer ratio hFE.+0.1 0.450.05Allowing supply with the radial taping.
8.6. Size:196K inchange semiconductor
2sd2079.pdf 
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2079DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 2000(Min)@ (V = 3V, I = 3A)FE CE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max)@ (I = 3A, I = 6mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1381Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable oper
8.7. Size:193K inchange semiconductor
2sd207.pdf 
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD207DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier and switching appli
Другие транзисторы... 2SB1667SM
, 2SB1682
, 2SD1407A
, 2SD1409A
, 2SD1410A
, 2SD1411A
, 2SD1412A
, 2SD1415A
, SS8050
, 2SD2206A
, 2SD2406
, 2SD2414SM
, 2SD2440
, 2SD2449
, 2SD2461
, 2SD2462
, 2SD2480
.
History: BU458
| 2G577
| 2SB178Q
| 2SA1338-5
| 2SA1081
| 2N2664
