Биполярный транзистор TTB002 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TTB002
Маркировка: B002
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: PW-MOLD
TTB002 Datasheet (PDF)
ttb002.pdf
TTB002 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type (PCT process) TTB002 Audio Frequency Power Amplifier Application Unit: mm Low collector saturation voltage : VCE (sat) = -0.5 V (max) High power dissipation : PC = 30 W (Tc = 25C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage
ttb002 .pdf
TTB002 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type (PCT process) TTB002 Audio Frequency Power Amplifier Application Unit: mm Low collector saturation voltage : VCE (sat) = -0.5 V (max) High power dissipation : PC = 30 W (Tc = 25C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage
ttb001.pdf
TTB001 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type TTB001 Audio Frequency Power Amplifier Application Unit: mm Low collector saturation voltage : VCE (sat) = -1.7 V (max) High power dissipation : PC = 36 W (Tc = 25C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -60 VEm
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
