Биполярный транзистор HIT667 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HIT667
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: TO92MOD
HIT667 Datasheet (PDF)
0.1. Size:64K renesas
r07ds0450ej hit667-1.pdf
r07ds0450ej hit667-1.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0450EJ0400HIT667 (Previous: REJ03G1505-0300)Rev.4.00Silicon NPN Epitaxial Jun 14, 2011Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT647 Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings Unit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050