Справочник транзисторов. HIT667

 

Биполярный транзистор HIT667 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HIT667
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO92MOD
 

 Аналог (замена) для HIT667

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HIT667 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:64K  renesas
 r07ds0450ej hit667-1.pdf pdf_icon

HIT667

Preliminary Datasheet R07DS0450EJ0400HIT667 (Previous: REJ03G1505-0300)Rev.4.00Silicon NPN Epitaxial Jun 14, 2011Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT647 Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)1. Emitter2. Collector3. Base321Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings Unit

Другие транзисторы... 2SA673AKD , 2SC1213AKC , 2SC1213AKD , 2SC2618C , 2SD2655 , 2SC4702 , 2SB1691 , HIT468 , BD139 , HIT562 , HIT647 , 15C01C , 2SA1179N , 2SA1768 , 2SA2040 , 2SA2127 , 2SA2186 .

 

 
Back to Top

 


 
.