HIT667 Todos los transistores

 

HIT667 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIT667
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO92MOD
 

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HIT667 PDF detailed specifications

 0.1. Size:64K  renesas
 r07ds0450ej hit667-1.pdf pdf_icon

HIT667

Preliminary Datasheet R07DS0450EJ0400 HIT667 (Previous REJ03G1505-0300) Rev.4.00 Silicon NPN Epitaxial Jun 14, 2011 Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT647 Outline RENESAS Package code PRSS0003DC-A (Package name TO-92 Mod) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit ... See More ⇒

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