HIT667 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIT667  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: TO92MOD

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HIT667 datasheet

 0.1. Size:64K  renesas
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HIT667

Preliminary Datasheet R07DS0450EJ0400 HIT667 (Previous REJ03G1505-0300) Rev.4.00 Silicon NPN Epitaxial Jun 14, 2011 Features Low frequency power amplifier Complementary pair with HIT647 Outline RENESAS Package code PRSS0003DC-A (Package name TO-92 Mod) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit

Otros transistores... 2SA673AKD, 2SC1213AKC, 2SC1213AKD, 2SC2618C, 2SD2655, 2SC4702, 2SB1691, HIT468, 2N5551, HIT562, HIT647, 15C01C, 2SA1179N, 2SA1768, 2SA2040, 2SA2127, 2SA2186