Биполярный транзистор 2N5824 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5824
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
2N5824 Datasheet (PDF)
9.2. Size:47K central
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
TM2N5820 2N5822 NPNCentral2N5821 2N5823 PNPSemiconductor Corp.COMPLEMENTARYSILICON TRANSISTORSDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 seriestypes are epoxy molded complementary siliconsmall signal transistors manufactured by theepitaxial planar process designed for generalpurpose amplifier applications where a highcollector current rating is required.MARKING COD
Другие транзисторы... 2N5817 , 2N5818 , 2N5819 , 2N582 , 2N5820 , 2N5821 , 2N5822 , 2N5823 , 2N5551 , 2N5825 , 2N5826 , 2N5827 , 2N5827A , 2N5828 , 2N5828A , 2N5829 , 2N583 .
