Справочник транзисторов. 2SC6011A

 

Биполярный транзистор 2SC6011A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC6011A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SC6011A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6011A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  sanken-ele
2sc6011a.pdfpdf_icon

2SC6011A

2-1 TransistorsAbsolute Maximum RatingsICBO hFEVCBO VCEO Ic PcConditions ConditionsPart Number ApplicationsVCB VCE Ic(V) (V) (A) (W) ( A)(V) min max(V) (A)2SC2837 Audio, general-purpose 150 150 10 100 100 150 50 180 4 32SC2921 Audio, general-purpose 160 160 15 150 100 160 50 180 4 52SC2922 Audio, general-purpose 180 180 17 200 100 180 30 180 4 82SC3263 Audio, gener

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
2sc6011a.pdfpdf_icon

2SC6011A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC6011ADESCRIPTIONHigh Power Handling capacityHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA2151AMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage

 ..3. Size:184K  inchange semiconductor
2sc6011 2sc6011a.pdfpdf_icon

2SC6011A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC6011/ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)-2SC6011(BR)CEO= 200V(Min)-2SC6011AGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA2151/A100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general pu

 7.1. Size:181K  inchange semiconductor
2sc6011.pdfpdf_icon

2SC6011A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC6011DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA2151100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SA1304

 

 
Back to Top

 


 
.