2SC6011A - описание и поиск аналогов

 

2SC6011A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6011A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SC6011A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6011A даташит

 ..1. Size:208K  sanken-ele
2sc6011a.pdfpdf_icon

2SC6011A

2-1 Transistors Absolute Maximum Ratings ICBO hFE VCBO VCEO Ic Pc Conditions Conditions Part Number Applications VCB VCE Ic (V) (V) (A) (W) ( A) (V) min max (V) (A) 2SC2837 Audio, general-purpose 150 150 10 100 100 150 50 180 4 3 2SC2921 Audio, general-purpose 160 160 15 150 100 160 50 180 4 5 2SC2922 Audio, general-purpose 180 180 17 200 100 180 30 180 4 8 2SC3263 Audio, gener

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
2sc6011a.pdfpdf_icon

2SC6011A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC6011A DESCRIPTION High Power Handling capacity High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 230V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SA2151A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

 ..3. Size:184K  inchange semiconductor
2sc6011 2sc6011a.pdfpdf_icon

2SC6011A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC6011/A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min)-2SC6011 (BR)CEO = 200V(Min)-2SC6011A Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA2151/A 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general pu

 7.1. Size:181K  inchange semiconductor
2sc6011.pdfpdf_icon

2SC6011A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC6011 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA2151 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE

Другие транзисторы: 2SC4883, 2SC4883A, 2SC4886, 2SC5071, 2SC5099, 2SC5100, 2SC5101, 2SC6011, B647, 2SD2389, 2SD2390, 2SD2401, 2SD2438, 2SD2439, 2SA1037AK, 2SA1514K, 2SA1576A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.