Справочник транзисторов. 2N583

 

Биполярный транзистор 2N583 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N583
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO1
 

 Аналог (замена) для 2N583

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N583 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:294K  fairchild semi
2n5830.pdfpdf_icon

2N583

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5830C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose highvoltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourcedfrom Process 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VV Collector-

 0.2. Size:67K  mcc
2n5832.pdfpdf_icon

2N583

MCCMicro Commercial Components21201 Itasca Street Chatsworth 2N5832CA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Through Hole PackagePlastic-case BipolarNPN TransistorPin Configuration Bottom View C B EElectrical Characteristics @ 25C Unless Otherwise SpecifiedTO-92Symbol Parameter Min Max UnitsA EOFF CHARACTERISTICS V(BR)CEO Collector-Emitt

 0.3. Size:379K  no
2n5839.pdfpdf_icon

2N583

Другие транзисторы... 2N5824 , 2N5825 , 2N5826 , 2N5827 , 2N5827A , 2N5828 , 2N5828A , 2N5829 , 2N2222 , 2N5830 , 2N5831 , 2N5832 , 2N5833 , 2N5834 , 2N5835 , 2N5836 , 2N5837 .

History: BD649F | NKT5 | 2SC4427 | BD651 | BD370D | MJD32

 

 
Back to Top

 


 
.