Справочник транзисторов. 2N5831

 

Биполярный транзистор 2N5831 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5831
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5831 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  microelectronics
 2n5830 2n5831.pdf pdf_icon

2N5831

 ..2. Size:1285K  sprague
 2n5419 2n5420 2n5550 2n5551 2n5830 2n5831 2n5832 2n5998 2n5999 2n6008 2n6009 2n6076 2n6426 2n6427.pdf pdf_icon

2N5831

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N5831

 9.2. Size:294K  fairchild semi
 2n5830.pdf pdf_icon

2N5831

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5830C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose highvoltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourcedfrom Process 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VV Collector-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N1127 | DT1522 | MJE344K | BC337 | 2SC6082 | BC848C | 2N5832

 

 
Back to Top

 


 
.