Справочник транзисторов. 2N5831

 

Биполярный транзистор 2N5831 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5831
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5831

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5831 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  microelectronics
2n5830 2n5831.pdfpdf_icon

2N5831

 9.2. Size:294K  fairchild semi
2n5830.pdfpdf_icon

2N5831

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5830C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose highvoltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourcedfrom Process 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VV Collector-

Другие транзисторы... 2N5826 , 2N5827 , 2N5827A , 2N5828 , 2N5828A , 2N5829 , 2N583 , 2N5830 , C5198 , 2N5832 , 2N5833 , 2N5834 , 2N5835 , 2N5836 , 2N5837 , 2N5838 , 2N5839 .

History: DTA114TEB | 2SC3586 | CK150 | NB213FH | 2SC3303 | NB213EI | 2SC2571-1

 

 
Back to Top

 


 
.