2N5832 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5832  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 175

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5832

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5832 даташит

 ..1. Size:67K  mcc
2n5832.pdfpdf_icon

2N5832

MCC Micro Commercial Components 21201 Itasca Street Chatsworth 2N5832 CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Through Hole Package Plastic-case Bipolar NPN Transistor Pin Configuration Bottom View C B E Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified TO-92 Symbol Parameter Min Max Units A E OFF CHARACTERISTICS V(BR)CEO Collector-Emitt

 ..2. Size:77K  secos
2n5832.pdfpdf_icon

2N5832

2N5832 0.6 A, 160 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES General Purpose Switching Transistor TO-92 G H J Millimeter REF. A D Min. Max. A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 B C 12.70 - Collector D 3.30 3.81 K E 0.36 0.56 F 0.36 0.51 G 1.27 TYP. H 1.10 -

Другие транзисторы: 2N5827, 2N5827A, 2N5828, 2N5828A, 2N5829, 2N583, 2N5830, 2N5831, BC548, 2N5833, 2N5834, 2N5835, 2N5836, 2N5837, 2N5838, 2N5839, 2N583A