Биполярный транзистор 2SB1198K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1198K
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SMT3 SC-59
2SB1198K Datasheet (PDF)
2sb1198k.pdf
TransistorsLow-frequency Transistor (*80V, *0.5A)2SB1198KFFeatures FExternal dimensions (Unit:s mm)1) Low VCE(sat).VCE(sat) = *0.2V (Typ.)(IC / IB = *0.5A / *50mA)2) High breakdown voltage.BVCEO = *80V3) Complements the 2SD1782K.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistorSOT-89FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FElectrical characteristics (Ta = 25_C)
2sb1198k sot-23-3l.pdf
2SB1198K SOT-23-3L Transistor(PNP)1. BASE SOT-23-3L2. EMITTER 2.923. COLLECTOR 0.351.17Features2.80 1.60 Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC=-0.5A,IB=-50mA) High breakdown voltage BVCEO=-80V Complements the 2SD1782K 0.151.90Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collect
2sb1198k.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1198KSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=-0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=-80V 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 Complementary to 2SD1782K+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec
2sb1198kfra.pdf
TransistorsAEC-Q101 QualifiedLow-frequency Transistor (*80V, *0.5A)2SB1198KFRA2SB1198KFFeatures FExternal dimensions (Unit:s mm)1) Low VCE(sat).VCE(sat) = *0.2V (Typ.)(IC / IB = *0.5A / *50mA)2) High breakdown voltage.BVCEO = *80V2SD1782KFRA3) Complements the 2SD1782K.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistorFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FE
2sb1198.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1198 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1198 is an epitaxial planar type PNP silicontransistor. FEATURES * High breakdown voltage : BVCEO= -80V * Low VCE(sat) : VCE(sat)= -0.2V (Typ) (IC/IB = -0.5A/-50mA) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing
2sb1198.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-232SB1198 TRANSISTOR (PNP)FEATURES 1. BASE Low VCE(sat)2. EMITTER High breakdown voltage3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050