2SB1198K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1198K  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SMT3 SC-59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB1198K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1198K даташит

 ..1. Size:985K  rohm
 2sb1198k.pdf pdf_icon

2SB1198K

Transistors Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor SOT-89 FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FElectrical characteristics (Ta = 25_C)

 ..2. Size:252K  lge
 2sb1198k sot-23-3l.pdf pdf_icon

2SB1198K

2SB1198K SOT-23-3L Transistor(PNP) 1. BASE SOT-23-3L 2. EMITTER 2.92 3. COLLECTOR 0.35 1.17 Features 2.80 1.60 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC=-0.5A,IB=-50mA) High breakdown voltage BVCEO=-80V Complements the 2SD1782K 0.15 1.90 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collect

 ..3. Size:860K  kexin
 2sb1198k.pdf pdf_icon

2SB1198K

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1198K SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=-80V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Complementary to 2SD1782K +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

 0.1. Size:965K  rohm
 2sb1198kfra.pdf pdf_icon

2SB1198K

Transistors AEC-Q101 Qualified Low-frequency Transistor (*80V, *0.5A) 2SB1198KFRA 2SB1198K FFeatures FExternal dimensions (Unit s mm) 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC / IB = *0.5A / *50mA) 2) High breakdown voltage. BVCEO = *80V 2SD1782KFRA 3) Complements the 2SD1782K. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SAR544D, 2SAR544P, 2SAR544R, 2SAR552P, 2SAR553P, 2SAR554P, 2SAR554R, 2SB1197K, BD335, 2SB1427, 2SB1561, 2SB1590K, 2SB1689, 2SB1690K, 2SB1690, 2SB1694, 2SB1695K