Биполярный транзистор 2SB1694 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SB1694
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: UMT3 SC-70 SOT-323
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SB1694 Datasheet (PDF)
2sb1694.pdf

2SB1694DatasheetGeneral purpose amplification (-30V, -1A)lOutlinel SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO-30VIC-1AUMT3lFeatures lInner circuitl l1)A collector current is large2)Collector-Emitter saturation voltage is low.VCE(sat)-380mVat IC=-500mA/IB=-25mA3)Complements the 2SD2656.lApplicationlLOW FREQUENC
2sb1694fra.pdf

2SB16942SB1694FRADatasheet PNP -1A -30V Low Frequency Amplifier TransistorsAEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT3Parameter ValueCollectorVCEO-30VBaseIC-1AEmitter2SB1694FRA2SB1694SOT-323 (SC-70)lFeatures1) A Collecotr current is large.General Purpose.2) Collector saturation voltage is low.VCE(sat) is Max. -380mVAt IC= -500mA, IB= -25mA3) Complementary NPN Ty
2sb1691.pdf

2SB1691 Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier REJ03G0482-0200 (Previous ADE-208-1387A (Z)) Rev.2.00 Dec.09.2004 Features Small size package: MPAK (SC59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) High power dissipation: PC = 800 mW (when usi
r07ds0272ej 2sb1691-1.pdf

Preliminary Datasheet 2SB1691 R07DS0272EJ0300(Previous: REJ03G0482-0200)Silicon PNP Epitaxial Planer Rev.3.00Low Frequency Power Amplifier Mar 28, 2011Features Small size package: MPAK (SC59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) High power dissipation:
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BFU910F | TIP539 | 15GN03MA-TL-E | GES5136 | 2SD1491 | 2SD1374 | 2SD1380
History: BFU910F | TIP539 | 15GN03MA-TL-E | GES5136 | 2SD1491 | 2SD1374 | 2SD1380



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet