Справочник транзисторов. 2N5835

 

Биполярный транзистор 2N5835 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5835
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5835 Datasheet (PDF)

 9.2. Size:294K  fairchild semi
2n5830.pdfpdf_icon

2N5835

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5830C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose highvoltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourcedfrom Process 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VV Collector-

 9.3. Size:67K  mcc
2n5832.pdfpdf_icon

2N5835

MCCMicro Commercial Components21201 Itasca Street Chatsworth 2N5832CA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Through Hole PackagePlastic-case BipolarNPN TransistorPin Configuration Bottom View C B EElectrical Characteristics @ 25C Unless Otherwise SpecifiedTO-92Symbol Parameter Min Max UnitsA EOFF CHARACTERISTICS V(BR)CEO Collector-Emitt

 9.4. Size:379K  no
2n5839.pdfpdf_icon

2N5835

Другие транзисторы... 2N5828A , 2N5829 , 2N583 , 2N5830 , 2N5831 , 2N5832 , 2N5833 , 2N5834 , BD140 , 2N5836 , 2N5837 , 2N5838 , 2N5839 , 2N583A , 2N584 , 2N5840 , 2N5841 .

History: CHUMB9GP | 2N5237 | BC183CP | BC183K | NB111EJ | 2N5606 | ME0401

 

 
Back to Top

 


 
.