Биполярный транзистор 2SC4726 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4726
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: EMT3 SC-75A
2SC4726 Datasheet (PDF)
2sc4726 2sc5662 2sc4726 2sc4083 2sc3838k.pdf
High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) 2SC5662 / 2SC4726 /2SC4083 / 2SC3838K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High transition frequency. (Typ. fT= 3.2GHz) 2SC56621.22) Small rbbCc and high gain. (Typ. 4ps) 0.323) Small NF. (3)(1)(2)0.220.130.4 0.4 0.5(1) Base0.8(2) Emitter(3) CollectorROHM : VMT3Packaging specifications and
2sc4728.pdf
Ordering number:EN3872PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1824/2SC472850V/5A Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters, andunit:mmother general high-current switching applications.2084[2SA1824/2SC4728]Features Low collector-to-emitter saturation voltage. High Gain-Bandwidth Product. Exce
2sc4727.pdf
Ordering number:EN3871NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC472720V/8A Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of MBIT process.unit:mm Low saturation voltage.2084B Fast switching speed.[2SC4727] Large current capacity.4.51.9 2.610.5 It is possible to make appliances more compact1.2 1.4because its height on board is 9.5mm.
2sc4729.pdf
Ordering number:EN3877PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1825/2SC472950V/8A Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters, andunit:mmother general high-current switching applications.2084[2SA1825/2SC4729]Features Low collector-to-emitter saturation voltage. High Gain-Bandwidth Product. Exce
2sc4725 2sc5661 2sc4725 2sc4082 2sc3837k.pdf
High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) 2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2SC56612) Small rbbCc and high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. (1) BasePackaging specifications and hFE ROHM : VMT3 (2) EmitterType 2SC5661 2SC4725 2SC4082 2SC3837K(3) CollectorPackage
2sc5661 2sc4725 2sc4082 2sc3837k.pdf
High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) 2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2SC56612) Small rbbCc and high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. (1) BasePackaging specifications and hFE ROHM : VMT3 (2) EmitterType 2SC5661 2SC4725 2SC4082 2SC3837K(3) CollectorPackage
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050