Биполярный транзистор 2SD1782K Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD1782K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SMT3 SC-59
Аналог (замена) для 2SD1782K
2SD1782K Datasheet (PDF)
2sd1782k.pdf

2SD1782KDatasheetPower Transistor (80V, 500mA)lOutlinel SOT-346 Parameter Value SC-59 VCEO80VIC500mASMT3lFeatures lInner circuitl l1)Low VCE(sat) VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA)2)High breakdown voltage. BVCEO=80V3)Complements the 2SB1198KlApplicationlDRIVERlPackaging specificationslBasic
2sd1782kfra.pdf

2SD1782KFRA2SD1782KTransistors AEC-Q101 QualifiedPower Transistor (80V, 0.5A) 2SD1782K2SD1782KFRA External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low VCE(sat).2.90.2VCE(sat) =0.2V(Typ.) 1.1+0.21.90.2 -0.1(IC / IB=0.5 A / 50mA) 0.80.10.95 0.952) High VCEO,VCEO=80V (1) (2)0~0.12SB1198KFRA3) Complements the 2SB1198K. (3)+0.10.15-0.06+0.10.4-0.0
2sd1782.pdf

TransistorsPower Transistor (80V, 0.5A)2SD1782KFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 0.5A / 50mA)2) High VCEO, VCEO = 80V3) Complements the 2SB1198K.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-222-D93)271Transistors 2SD1782KFElectrical characteristics (Ta = 25_
2sd1782.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1782 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTCs advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter saturation voltage and high DC current gain, etc. FEATURES * High collector-emitte
Другие транзисторы... 2SCR552P , 2SCR553P , 2SCR554P , 2SCR554R , 2SD1383K , 2SD1484K , 2SD1757K , 2SD1781K , 2N3906 , 2SD2114K , 2SD2142K , 2SD2143 , 2SD2153 , 2SD2226K , 2SD2351 , 2SD2391 , 2SD2444K .
History: FMMTA12 | 2SA1604S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l