Справочник транзисторов. 2SD1782K

 

Биполярный транзистор 2SD1782K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1782K
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SMT3 SC-59
 

 Аналог (замена) для 2SD1782K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1782K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1126K  rohm
2sd1782k.pdfpdf_icon

2SD1782K

2SD1782KDatasheetPower Transistor (80V, 500mA)lOutlinel SOT-346 Parameter Value SC-59 VCEO80VIC500mASMT3lFeatures lInner circuitl l1)Low VCE(sat) VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA)2)High breakdown voltage. BVCEO=80V3)Complements the 2SB1198KlApplicationlDRIVERlPackaging specificationslBasic

 0.1. Size:934K  rohm
2sd1782kfra.pdfpdf_icon

2SD1782K

2SD1782KFRA2SD1782KTransistors AEC-Q101 QualifiedPower Transistor (80V, 0.5A) 2SD1782K2SD1782KFRA External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low VCE(sat).2.90.2VCE(sat) =0.2V(Typ.) 1.1+0.21.90.2 -0.1(IC / IB=0.5 A / 50mA) 0.80.10.95 0.952) High VCEO,VCEO=80V (1) (2)0~0.12SB1198KFRA3) Complements the 2SB1198K. (3)+0.10.15-0.06+0.10.4-0.0

 7.1. Size:92K  rohm
2sd1782.pdfpdf_icon

2SD1782K

TransistorsPower Transistor (80V, 0.5A)2SD1782KFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 0.5A / 50mA)2) High VCEO, VCEO = 80V3) Complements the 2SB1198K.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-222-D93)271Transistors 2SD1782KFElectrical characteristics (Ta = 25_

 7.2. Size:84K  utc
2sd1782.pdfpdf_icon

2SD1782K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1782 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTCs advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter saturation voltage and high DC current gain, etc. FEATURES * High collector-emitte

Другие транзисторы... 2SCR552P , 2SCR553P , 2SCR554P , 2SCR554R , 2SD1383K , 2SD1484K , 2SD1757K , 2SD1781K , 2N3906 , 2SD2114K , 2SD2142K , 2SD2143 , 2SD2153 , 2SD2226K , 2SD2351 , 2SD2391 , 2SD2444K .

History: FMMTA12 | 2SA1604S

 

 
Back to Top

 


 
.